частина NT256T64UH4A1FN-37B
Категорія Пам'ять => Чіпи пам'яті
Назва 32M X 64 DDR DRAM МОДУЛЬ, 0,5 нс, DMA240
опис
Компанія Nanya Technology Corporation
Технічні характеристики
Категорія пам'яті Чіп DRAM
Щільність 2147484 кбіт
Кількість слів 32000 тис
Біт на слово 64 біти
Тип упаковки DIMM-240
Шпильки 240
Напруга живлення 1,8 В
Час доступу 0,5000 нс
Робоча температура Від 0 до 70 C (від 32 до 158 F)

Особливості, програми

особливості
Стандартний 240-контактний модуль пам'яті JEDEC Dual In-Line 32Mx64 DDR2 Unbuffered DIMM 32Mx16 DDR2 SDRAM Продуктивність:

Швидкість Сортування DIMM Затримка* f CK Тактова частота t CK Тактова частота f DQ Burst Frequency
Призначено для додатків 200 МГц і 266 МГц Входи та виходи сумісні з SSTL-18 VDD = VDDQ ± 0,1 SDRAM мають 4 внутрішні банки для одночасної роботи Входи диференціального тактового сигналу Дані зчитуються або записуються на обох фронтах тактового сигналу Двонаправлений строб даних з однією преамбулою тактового циклу і півгодини після прогулянки

Сигнали адреси та керування повністю синхронізовані з позитивним фронтом тактової частоти. Програмована робота: - Затримка пристрою: 4 - Тип пакету: послідовний або чергування - Довжина пакета: 8 - Операція: пакетне читання та запис, автоматичне оновлення (CBR) і режими самооновлення Автоматичні та керовані команди попередньої зарядки 13/10/1 Адресація (рядок/стовпець/банк) 7,8 мкс Макс. Середній періодичний інтервал оновлення Послідовна присутність виявлення золотих контактів SDRAM у 84-кульковому пакеті FBGA

опис
NT256T64UH4A0F і NT256T64UH4A0FY — це 240-контактний дворядний модуль пам’яті з подвійною швидкістю передачі даних (DDR2) без буферизації (UDIMM), організований як одноранговий масив високошвидкісної пам’яті 64Mx64. Модулі використовують чотири 32Mx16 DDR2 SDRAM у корпусах FBGA. Ці модулі DIMM виготовляються з використанням необроблених карток, розроблених для широкого промислового використання як еталонних зразків. Використання цих загальних проектних файлів мінімізує розбіжності між постачальниками. Усі модулі NANYA DDR2 SDRAM DIMM забезпечують високопродуктивний, гнучкий 8-байтовий інтерфейс і довжину 5,25 дюйма, що заощаджує місце. Модуль DIMM призначений для використання в програмах, що працюють на тактовій частоті 200 МГц (266 МГц) і забезпечує високу швидкість передачі даних. до 400 МГц (533 МГц).Перед будь-якою операцією доступу необхідно визначити затримку пристрою та тип/довжину/тип операції.

програмується в модуль DIMM адресними входами A0-A13 і входами вводу-виводу BA0 і BA1 за допомогою циклу встановлення регістра режиму. DIMM використовує послідовне визначення присутності, реалізоване через послідовну 2048-бітну EEPROM за стандартним протоколом IIC. Перші 128 байт послідовних даних PD програмуються та блокуються під час складання модуля. Решта 128 байт доступні для використання клієнтом.

Номер деталі NT256T64UH4A0F-37B NT256T64UH4A0FY-37B Швидкість DDR2-533 PC2-4200 Золотий 1,8 В Організація Виводи Живлення Примітка

NANYA TECHNOLOGY CORP. залишає за собою право змінювати продукти та технічні характеристики без попередження.
CKE0, CKE1 Differential Clock Inputs Clock Enable Row Address Strobe Адреса стовпця Strobe Write Enable ODT1 NC Chip Selects Address Inputs Column Address Input/Auto-precharge SDRAM Bank Address Inputs Pin Pin Active termination control lines No Connect CB0-CB7 DQS0-DQS8 VDD VREF VDDSPD VSS SCL SDA SA0-2 Вхід/вихід даних ECC Check Bit Вхід/вихід даних Двонаправлені стробоскопи даних Диференціальні стробоскопи даних Потужність (1,8 В) Ref. Напруга для входів SSTL_18 Позитивний джерело живлення Послідовний EEPROM Заземлення Послідовний сигнал Виявлення присутності Годинник Вхід Послідовний сигнал визначення присутності Введення/виведення даних Послідовний сигнал визначення присутності Адресні входи