Транзистор 40T65FDSC Magnachip  IGBT-транзистор 40T65QES оригінал ( MBQ40T65QES ) , TO247(Заміна для 40T65FDSC , MBQ40T65FDSC , MBQ40T65FESC , 40T65FESC , 40T65HD , BGN40T65HD )

650V /40A Trench Field Stop IGBT
Максимальний робочий струм 80А при t 20ºC
Номінальний робочий струм 40А при t 100ºC
Максимальна робоча напруга 650V

Характеристики

 Наявність вбудованого діода

Максимальна напруга колектор-емітер 650 В
Максимальний струм колектор-емітер при 25°C, 80 А
Максимальний імпульсний струм колектора 120 А
Напруга насичення колектор-емітер при +25 º С 1,8 В
Порогова напруга затвора 4,9 В
Максимальна напруга затвор-емітер 20 В
Максимальна розсіювана потужність 312 Вт
Вихідна ємність 2100 пФ
Робоча температура -40 ... +175 ° C
Тип корпусу TO247

Детальніше: //alltransistors.com/adv/pdfview.php?doc=mbq40t65qes.pdf&dire=_1