N-КАНАЛ IGBT (ВИСОКА ПОТУЖНІСТЬ ПЕРЕМИКАННЯ / КЕРУВАННЯ
Особливість TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGB T MG100J2YS50 High Power Switching Applications Applications Control Motor MG 100J2YS50 Одиниця: мм l Електроди ізольовані від корпусу.
l Високий вхідний опір.
l Включає повний напівміст в одному пакеті.
l Режим покращення.
l Висока швидкість: tf = 0,30
мкс (макс.) (IC = 100 A) trr = 0,15
мкс (макс.) (IF = 100 A) l Низька напруга насичення: VCE (sat)=2.
7 0 В (макс.) (IC=100 A) Максимальні номінальні значення еквівалентно На 600вольт транзистори і на 50 ампе
р